专利名称：低硅沸石的中孔隙率的引入专利类型：发明专利
发明人：李坤浩,哈维尔·加西亚-马丁内斯,迈克尔·G·比弗申请号：CN201380003810.6申请日：20130114公开号：CN103930369A公开日：20140716
摘要：本文公开了中孔X沸石和中孔A沸石及其制备方法。这类中孔沸石可以通过使原始沸石与酸和成中孔剂接触来制备。原始沸石的骨架硅比铝含量可以为约1至约2.5。另外，这类中孔沸石的直径为至的中孔总体积可以为至少0.05cc/g。
申请人：瑞弗科技有限公司
地址：美国马萨诸塞州
国籍：US
代理机构：北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司
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