专利名称：一种通孔结构及其制作方法专利类型：发明专利发明人：曹立强,戴风伟申请号：CN201310317725.9申请日：20130726公开号：CN103367285A公开日：20131023
摘要：本发明涉及一种2.5D或3D封装中用于interposer转接板的TSV制作方法。该方法的特征在于，TSV结构是通过双面刻蚀和双面填充而形成。本发明中揭示的方法可用于形成高深宽比或超高深宽比的TSV结构。从而解决高深宽比或超高深宽比TSV结构在形成工艺、设备、成品率以及可靠性方面的种种限制。相应的，本发明还提供了一种TSV通孔结构。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：朱海波
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