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一种场发射性能优良具有尖端结构的硅纳米线阵列的制备方法[发明专利]

来源：花图问答

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种场发射性能优良具有尖端结构的硅纳米线阵列

的制备方法

专利类型：发明专利发明人：吕沙沙,李正操申请号：CN201410193257.3申请日：20140508公开号：CN103950889A公开日：20140730

摘要：本发明公开了属于场发射技术领域的一种场发射性能优良具有尖端结构的硅纳米线阵列的制备方法。该方法首先在硅基底上排布单层密排的PS小球并对其进行反应离子刻蚀处理，然后采用电子束蒸发镀银，去除PS小球后，接着将基底进行银催化腐蚀，得到直径较大的硅纳米线阵列；再通过干法氧化处理将硅纳米线变成尖端结构，并进一步减小硅纳米线直径，增加纳米线间距。本发明方法制备的具有尖端的硅纳米线阵列，具有优良的场发射性能；其开启电压为1.8V/μm，且电流稳定性较好；同时，硅纳米线单晶性能良好，能在较大面积规则密排，长径比可控性较强。本方法成本低、产率高、可调控性好，因而可在硅基场发射电子器件的生产中得到应用。

申请人：清华大学

地址：100084 北京市海淀区北京市100084-82信箱

国籍：CN

代理机构：北京众合诚成知识产权代理有限公司

代理人：陈波

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