辨别内存大小

给个解释

这是NAND闪存芯片, 一般都是SAMSUNG或Hynix芯片。

SAMSUNG闪存的型号及对应容量：

K9x1Gxxxxx = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte) K9x2Gxxxxx = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte) K9x4Gxxxxx = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte) K9x8Gxxxxx = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte)

K9xAGxxxxx = 2x K9K8G08U0M = 16Gb (GigaBit) = 2048MB (MegaByte) (1 Byte = 8 bits)

Hynix闪存的型号及对应容量：

HY27UH081G2M = 1Gb (GigaBit) = 128MB (MegaByte) HY27UH082G2M = 2Gb (GigaBit) = 256MB (MegaByte) HY27UH084G2M = 4Gb (GigaBit) = 512MB (MegaByte) HY27UH088G2M = 8Gb (GigaBit) = 1024MB (MegaByte) (1 Byte = 8 bits)

内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国（含台湾省）厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法，下面就是内存识别资料，供大家参考：

主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下：

现代电子HYUNDAI：HY［注：代号］

三星SAMSUNG：KM或M NBM：AAA 西门子SIEMENS：HYB

高士达LG-SEMICON：GM HITSUBISHI：M5M 富士通FUJITSU：MB

摩托罗拉MOTOROLA：MCM MATSUSHITA：MN OKI：MSM

美凯龙MICRON：MT 德州仪器TMS：TI 东芝TOSHIBA：TD或TC

日立HITACHI：HM STI：TM 日电NEC：uPD

IBM：BM NPNX：NN

一.日本产系列：

主要厂家有Hitachi［日立］，Toshiba［东芝］，NEC［日电］，Mitsubishi［三菱］等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。

1.HITACHI［日立］。

日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz。它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2，B60的CL是3。市面上B60的多，但完全可超133MHz外频，

HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式：

HM 52 XX XX 5 X X TT-XX

HM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。

第1、2个X代表容量。

第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。

第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到\"F\"了。

第6个X如果是字母\"L\"就是低功耗。空白则为普通。

TT为TSOII封装。

最后XX代表速度：

75：7.5ns［133MHz］

80：8ns［125MHz］

A60：10ns［PC-100 CL2或3］

B60：10ns［PC-100 CL3］

例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL是3。

2.NEC。

NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式：

μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX

μPD4代表是NEC的产品。

\"5\"代表是SDRAM。

第1、2个X代表容量。

第3或4个X表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。当数据位宽为16位和32位时，使用两位，即占用第4个X。由于NEC的标识的长度固定，这会对下面的数字造成影响。

第4或5个X代表Bank。\"3\"或\"4\"代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；\"2\"代表2个Bank。

第5个X，如为\"1\"代表LVTTL。如为16位和32位的芯片，第5个X已被占用，则第5个X有双重含义，如\"1\"代表2个Bank和LVTTL，\"3\"代表4个Bank和LVTTL。

G5为TSOPII封装。

-A后的XX是代表速度：

80：8ns［125MHz］

10：10ns［PC100 CL 3］

10B：10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范。

12：12ns

70：［PC133］

75：［PC133］

速度后的X如果是字母\"L\"就是低功耗，空白则为普通。

-XXX：第一人X通常为数字，如64Mbit芯片上常为准，16Mbit芯片上常为7，规律不详。其后的XX的\"JF\"、\"JH\"、\"NF\"等。估计与封装外型有关：\"NF\"对应: 44-pinTSOP-II；\"JF\"对应54-pin TSOPII；\"JH\"对应86-pin TSOP-II。

例如：μPD4564841G5-A80-9JF，64Mbit，8位，4个Bank，在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2。

3.TOSHIBA东芝。

TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式：

TC59S XX XX X FT X-XX

TC代表是东芝的产品。

59代表是SDRAM系列。其后的S为普通SDRAM，R为Rambus SDRAM，W为DDR SDRAM。

第1、2个X代表容量。64为64Mbit，M7为128Mbit。

第3、4个X表示数据位宽，04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

第5个X估计是用来表示内核的版本。目前常见的为\"B\"。

FT为TSOPII封装。

FT后如果有字母\"L\"就是低功耗，空白则为普通。

最后的XX是代表速度：

75：7.5ns［133MHz］

80：8ns［125MHz］

10：10ns［100MHz CL=3］

例如：TC59S6408BFTL-80，64Mbit，8位，可正常工作在125MHz，且为低功耗型号。

二.韩国产系列：

韩国现在的SEC三星和HY（现代，它还将LGS给兼并了）占据了世界内存产量的多半份额，韩国产晶圆的特点是质量比较稳定，价格也较合理。

1.SEC［Samsung Electronics］三星。

三星的SDRAM芯片的标识为以下格式：

KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FX

KM代表是三星的产品。

三星的SDRAM产品KM后均为4，后面的\"S\"代表普通的SDRAM，如为\"H\"，则为DDR SDRAM。

\"S\"前两个XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

三星的容量需要自己计算一下。方法是用\"S\"后的X乘S前的数字，得到的结果即为容量。

\"0\"后的第一个X代表由几个Bank构成。2为2个Bank，3为难个Bank。

\"0\"后的第2个X，代表interface，1为SSTL，0为LVTTL。

\"0\"后的第3个X与版本有关，如B、C等，但每个字母下又有各个版本，在表面上并不能看得出来。

\"T\"为TSOP封装。

速度前的\"G\"和\"F\"的区别在自刷新时的电流，\"F\"需要的电流较\"G\"小，相当于一般的低功耗版。

\"G/F\"后的X代表速度：

7：7ns［143MHz］

8：8ns［125MHz］

H：10ns［PC100 CL2或3］

L：10ns［PC100 CL3］

10：10ns［100MHz］

例如：KM416S4031BT-GH，是64Mbit［16*4］，16，4个Bank，在100MHZ时CL=2。

三星公布的标准PC133芯片：

Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA

Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA

2.HYUNDAI现代

现在国内常见的有HY57V65XXXXATC 10和HY57V651XXXXXATC10。现代的HY PC 100 SDRAM的编号应是ATC 10或BTC，没有A的或B的，就不是PC 100内存。经测试，发现HY编号为ATC10的SDRAM上133MHz时相当困难。而编号ATC8的上133MHz也不行，但可超到124MHz。编号BTC的SDRAM上133MHz很稳定。66841XT75为PC133的，66841ET7K为PC100的。

现代的SDRAM芯片上的标识为以下格式：

HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX

HY代表是现代的产品。

5X表示芯片类型，57为一般的SDRAM，5D为DDR SDRAM。

第2个X代表工作电压，空白为5V，\"V\"为3.3V, \"U\"为2.5V。

第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下：

16：16Mbits，4K Ref。

64：64Mbits，8K Ref。

65：64Mbits，4K Ref。

128：128Mbits，8K Ref。

129：128Mbits，4K Ref。

256：256Mbits，16K Ref。

257：256Mbits，8K Ref。

第6、7个X代表芯片输出的数据位宽，40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。是2的幂次关系。

第9个X一般为0，代表LVTTL［Low Voltage TTL］接口。

第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新。

第11个X如为\"L\"则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。

第12、13个X代表封装形式，分别如下：

JC：400mil SOJ

TC：400mil TSOP-II

TD：13mm TSOP-II

TG：16mm TSOP-II

最后几位为速度：

7：7ns［143MHz］

8：8ns［125MHz］

10p：10ns［PC-100 CL2或3］

10s：10ns［PC-100 CL3］

10：10ns［100MHz］

12：12ns［83MHz］

15：15ns［66MHz］

例如：常见的HY57V658010CTC-10s，HY是现代的芯片，57说明是SDRAM，65是64Mhbit和4K refresh cycles/64ms，下来的8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。需要指出的是-10K不是PC100的产品，-7J和-7K也不是PC133的产品。-8的性能要好于-7K和-7J。

3.LGS［LG Semicon］

LGs早已被HY现代纳入麾下，但还是有必要单独介绍下它。LG现有的内存条编号后缀为7J、7K、10K、8。其中10K是非PC100规格的，速度极慢。7J和7K才是PC 100的SDRAM，7J和7K工作模式的速度参数不同，LGs 7J编号在1073222，LGs 7K编号是1072222，两者的主要区别是第三个反应速度的参数上。而8才是真正的8ns PC 100内存，但国内没有出现。现在市面上还有很多10K的LGs内存，速度比7J和7K差很远，但因外型相差不大，所以不少奸商把10K冒充7J或7K的来卖。而7J和7K经过测试比较，7K比7J的更优秀，上133MHz时7K比7J更稳定，但7K的市面上不多见。

LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式：

GM72V XX XX X 1 X X T XX

GM代表为LGS的产品。

72代表SDRAM。

第1、2个X代表容量，类似现代，16为16Mbits，66为64Mbits。

第3、4个X表示数据位宽，一般为4、8、16等，不补0。

第5个X代表Bank，2对应2个Bank，4对应4个Bank，和现代的不一样，属于直接对应。

第6个X表示是第几人版本的内核，现在至少已经排到\"E\"了。

第7个X如果是字母\"L\"，就是低功耗，空白则为普通。

\"T\"为常见的TSOPⅡ封装，现在还有一种BLP封装出现，为\"I\"。

最后的XX自然是代表速度：

7.5：7.5ns［133MHz］

8：8ns［125MHz］

7K：10ns［PC-100 CL2或3］

7J：10ns［100MHz］

10K：10ns［100MHz］

12：12ns［83MHz］

15：15ns［66MHz］

例如：GM72V661641CT7K，这是64Mbit，16位输出，4个Bank，刚达到PC-100的要求（CL=3）SDRAM。

三.欧美生产系列及其它：

在欧美内存厂商中Micron，IBM，SIEMENS西门子等都较有名气。另外中国台湾省的厂家这几年来进步也很神速，如茂矽、台晶、华邦、台积电和联华等厂家在生产规模和技术上已经赶韩超美了，国产的晶圆的质量不错，价格也很便宜。

1.Micron。

Micron的SDRAM芯片上标识为以下格式：

MT48 XX XX M XX AX TG-XX X

MT代表是Micron的产品。

48代表是SDRAM系列。其后的XX如为LC则为普通SDRAM。46V为DDR SDRAM。

Mricron的容量需要自己计算一下。方法是将XX M XX中的M前后的数字相乘，得到的结果即为容量。

M后的XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

AX代表Write Recovery［Twr］，如A2表示Twr=2clk。

TG为TSOPII封装。LG为TGFP封装。

最后的XX是代表速度：

7：7ns［143MHz］

75：7.5ns［133MHz］

8X：8ns［125MHz］

其中X为A~E，字母越后性能越好。按CL-TRCD-TRP的表示方法A~E分别为：3-3-3、3-2-3、3-2-2、2-2-2、2-2-2。

10：10ns［100MHz CL3］

速度后如有L则为低耗。

2.IBM。

PC电脑的开山鼻祖实力当然不俗。IBM的PC100内存有XXXXXXXCT3B260。

IBM的SDRAM芯片上的标识为以下格式：

IBM03 XX XX X XT3X ---XXX

IBM代表为IBM的产品。

IBM的SDRAM产品均为03。

第1、2个X代表容量。

第3、4个X表示数据位宽，为40、80、16等。

一般的封装形式为TSOP。对4位数据位宽的型号，如第4个X不为0而为B，则为TSOJ封装。

第5个X意义不详，16Mbit上多为9，64Mbit上多为4。

第6个X为P为低功耗，C为普通。

第7个X表示内核的版本。

最后的XXX代表速度：

68： 6.8ns［147MHz］

75A: 7.5NS［133MHz］

260或222：10ns［PC100 CL2或3］

360或322：10ns［PC100 CL3］在B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ。

10：10NS［100MHz］

例如：IBM0316809CT3D-10，16Mbit，8位，不符合PC-100规范。

3.SIEMENS［西门子］

芯片标识：HYB39S xx xx0 x T x -xx

前两个xx为容量,最后两位xx是速度：

6—166MHz

7—143MHz

7.5—133MHz

8—125MHz

8B—100MHz［CL3］ 10—100MHz［PC66规格］