潍坊科技学院电气工程学院《电力电子技术》复习

《电力电子技术》期中复习提纲

绪 论

1 电力电子技术定义：是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，是应用于电力领域的电子技术，主要用于电力变换。

2 电力变换的种类

（1）交流变直流AC-DC：整流（2）直流变交流DC-AC：逆变

（3）直流变直流DC-DC：一般通过直流斩波电路实现（4）交流变交流AC-AC：一般称作交流电力控制

3 电力电子技术分类：分为电力电子器件制造技术和变流技术。4电力电子学是交叉学科

第2章 电力电子器件

1 电力电子器件与主电路的关系

（1）主电路：指能够直接承担电能变换或控制任务的电路。

（2）电力电子器件：指应用于主电路中，能够实现电能变换或控制的电子器件。

2 电力电子器件一般都工作于开关状态，以减小本身损耗。3 电力电子系统基本组成与工作原理

（1）一般由主电路、控制电路、检测电路、驱动电路、保护电路等组成。

（2）检测主电路中的信号并送入控制电路，根据这些信号并按照系统工作要求形成电力电子器件的工作信号。

（3）控制信号通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的导通或关断。

（4）同时，在主电路和控制电路中附加一些保护电路，以保证系统正常可靠运行。

4 电力电子器件的分类

根据控制信号所控制的程度分类

（1）半控型器件：通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。如SCR晶闸管。

（2）全控型器件：通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件。如GTO、GTR、MOSFET和IGBT。

（3）不可控器件：不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件。如电力二极管。

根据驱动信号的性质分类

（1）电流型器件：通过从控制端注入或抽出电流的方式来实现导通或关断的电力电子器件。如SCR、GTO、GTR。

（2）电压型器件：通过在控制端和公共端之间施加一定电压信号的方式来实现导通或关断的电力电子器件。如MOSFET、IGBT。

根据器件内部载流子参与导电的情况分类

（1）单极型器件：内部由一种载流子参与导电的器件。如MOSFET。（2）双极型器件：由电子和空穴两种载流子参数导电的器件。如SCR、GTO、GTR。

（3）复合型器件：有单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件。如IGBT。

5 半控型器件—晶闸管SCR

晶闸管的结构与工作原理

晶闸管的双晶体管模型

将器件N1、P2半导体取倾斜截面，则晶闸管变成V1-PNP和V2-NPN两个晶体管。

晶闸管的导通工作原理

（1）当AK间加正向电压，晶闸管不能导通，主要是中间存在反向PN结。

（2）当GK间加正向电压，NPN晶体管基极存在驱动电流，NPN晶体管导通，产生集电极电流。

（3）集电极电流构成PNP的基极驱动电流，PNP导通，进一步放大产生PNP集电极电流。

（4）与构成NPN的驱动电流，继续上述过程，形成强烈的负反馈，这样NPN和PNP两个晶体管完全饱和，晶闸管导通。

晶闸管是半控型器件的原因

（1）晶闸管导通后撤掉外部门极电流，但是NPN基极仍然存在电流，由PNP集电极电流供给，电流已经形成强烈正反馈，因此晶闸管继续维持导通。

（2）因此，晶闸管的门极电流只能触发控制其导通而不能控制其关断。

晶闸管的关断工作原理

满足下面条件，晶闸管才能关断：

（1）去掉AK间正向电压；（2）AK间加反向电压；

（3）设法使流过晶闸管的电流降低到接近于零的某一数值以下。

晶闸管正常工作时的静态特性

（1）当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。

（2）当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。

（3）晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用，不论门极触发电流是否还存在，晶闸管都保持导通。

（4）若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。

GTO的结构

（1）GTO与普通晶闸管的相同点：是PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。

（2）GTO与普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件，其内部包含数十个甚至数百个供阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极在器件内部并联在一起，正是这种特殊结构才能实现门极关断作用。

GTO的静态特性

（1）当GTO承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。

（2）当GTO承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。

（3）GTO导通后，若门极施加反向驱动电流，则GTO关断，也即可以通过门极电流控制GTO导通和关断。

（4）通过AK间施加反向电压同样可以保证GTO关断。

电力场效应晶体管MOSFET

（1）电力MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流的，因此它是电压型器件。

（3）当大于某一电压值时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，从而使P型半导体反型成N型半导体，形成反型层。

绝缘栅双极晶体管IGBT

（1）GTR和GTO是双极型电流驱动器件，其优点是通流能力强，耐压及耐电流等级高，但不足是开关速度低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。

（2）电力MOSFET是单极型电压驱动器件，其优点是开关速度快、所需驱动功率小，驱动电路简单。

（3）复合型器件：将上述两者器件相互取长补短结合而成，综合两者优点。

（4）绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合型器件，由GTR和MOSFET两个器件复合而成，具有GTR和MOSFET两者的优点，具有良好的特性。

IGBT的结构和工作原理

（1）IGBT是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。（2）IGBT由MOSFET和GTR组合而成。

第3章 整流电路

（1）整流电路定义：将交流电能变成直流电能供给直流用电设备的变流装置。

单相半波可控整流电路

触发角：

从晶闸管开始承受正向阳极电压起，到施加触发脉冲为止的电角度，称为触发角或控制角。

“半波”整流：改变触发时刻，和波形随之改变，直流输出电压为极性不变但瞬时值变化的脉动直流，其波形只在正半周内出现，因此称“半波”整流。

单相半波可控整流电路：如上半波整流，同时电路中采用了可控器件晶闸管，且交流输入为单相，因此为单相半波可控整流电路。电力电子电路的基本特点及分析方法

（1）电力电子器件为非线性特性，因此电力电子电路是非线性电路。（2）电力电子器件通常工作于通态或断态状态，当忽略器件的开通过程和关断过程时，可以将器件理想化，看作理想开关，即通态时认为开关闭合，其阻抗为零；断态时认为开关断开，其阻抗为无穷大。

单相桥式全控整流电路

带电阻负载的工作情况

（1）单相桥式全控整流电路带电阻负载时的原理图

（2）单相桥式全控整流电路带电阻负载时的波形图

（3）直流输出电压平均值

（4）负载直流电流平均值

（5）晶闸管参数计算承受最大正向电压：承受最大反向电压：

触发角的移相范围：时，；时，。因此移相范围为。

晶闸管电流平均值：VT1 、VT4与VT2 、VT3轮流导电，因此晶闸管电流平均值只有输出直流电流平均值的一半，即。带阻感负载的工作情况

（1）单相桥式全控整流电路带阻感负载时的原理图

（2）单相桥式全控整流电路带阻感负载时的波形图（3）直流输出电压平均值（4）触发角的移相范围

时，；时，。因此移相范围为。

（5）晶闸管承受电压：正向：；反向：带反电动势负载时的工作情况

（1）单相桥式全控整流电路带反电动势负载时的原理图

① 当负载为蓄电池、直流电动机的电枢（忽略其中的电感）等时，负载可看成一个直流电压源，即反电动势负载。正常情况下，负载电压最低为电动势。

② 负载侧只有瞬时值的绝对值大于反电动势，即时，才有晶闸管承受正电压，有导通的可能。

（2）单相桥式全控整流电路带反电动势负载时的波形图

三相可控整流电路

三相半波可控整流电路

电阻负载

（1）三相半波可控整流电路带电阻负载时的原理图

① 变压器一次侧接成三角形，防止3次谐波流入电网。② 变压器二次侧接成星形，以得到零线。

③ 三个晶闸管分别接入a、b、c三相电源，其所有阴极连接在一起，为共阴极接法。

（2）三相半波不可控整流电路带电阻负载时的波形图自然换向点

（3）三相半波可控整流电路带电阻负载时的波形图（）

自然换向点：对于三相半波可控整流电路而言，自然换向点是各相晶闸管能触发导通的最早时刻（即开始承受正向电压），该时刻为各晶闸管触发角的起点，即。

（4）三相半波可控整流电路带电阻负载时的波形图（）

定义：时刻为自然换向点后，和时刻依次间距。

（5）三相半波可控整流电路带电阻负载时的波形图（）

定义：时刻为自然换向点后，和时刻依次间距。

（6）三相半波可控整流电路带电阻负载不同触发角工作时的情况总结① 当时，负载电流处于连续状态，各相导电。

② 当时，负载电流处于连续和断续的临界状态，各相仍导电。③ 当时，负载电流处于断续状态，直到时，整流输出电压为零。

④ 结合上述分析，三相半波可控整流电路带电阻负载时角的移相范围为，其中经历了负载电流连续和断续的工作过程。（7）数值计算

① 时，整流电压平均值（负载电流连续）：当时，最大，。

② 时，整流电压平均值（负载电流断续）：

当时，最小，。

③ 负载电流平均值：。

④ 晶闸管承受的最大反向电压：为变压器二次侧线电压的峰值，⑤ 晶闸管承受的最大正向电压：

如a相，二次侧a相电压与晶闸管正向电压之和为负载整流输出电压，由于最小为0，因此晶闸管最大正向电压。阻感负载

（1）三相半波可控整流电路带阻感负载时的原理图

① 当阻感负载中的电感值很大时，整流获得的电流波形基本是平直的，即流过晶闸管的电流接近矩形波。

② 当时，整流电压波形与电阻负载时相同，因为两种负载情况下，负载电流均连续。

（2）三相半波可控整流电路带阻感负载时的波形图（）

定义：时刻为自然换向点后，和时刻依次间距。

（3）三相半波可控整流电路带阻感负载不同触发角工作时的情况总结① 阻感负载状态下，由于大电感的存在，使负载电流始终处于连续状态，各相导电。

② 当时，负载电压波形将出现负的部分，并随着触发角的增大，使负的部分增多。

③ 当时，负载电压波形中正负面积相等，平均值为0。

④ 结合上述分析，三相半波可控整流电路带阻感负载时角的移相范围为。

（4）数值计算

① 整流电压平均值（负载电流始终连续）：。② 晶闸管承受的最大正反向电压：为变压器二次侧线电压的峰值，

三相桥式全控整流电路

三相桥式全控整流电路原理图：

（1）由6只晶闸管组成，形成三个桥臂，其中每个桥臂连接一相电源。（2）阴极连接在一起的3只晶闸管（VT1、VT3、VT5）称为共阴极组，处于桥臂上端。

（3）阳极连接在一起的3只晶闸管（VT4、VT6、VT2）称为共阳极组，处于桥臂下端。

（4）晶闸管的导通顺序：VT1、VT2、VT3、VT4、VT5、VT6。带电阻负载时的工作情况（）（1）基本说明

① 自然换向点仍为a、b、c相的交点。

② 将时刻（自然换向点）后的一个电源周期分成6段，每段电角度为。（2）波形图分析

（3）总结

① 对于共阴极组的3个晶闸管来说，阳极所接交流电压值最高的一个导通；对于共阳极组的3个晶闸管来说，阴极所接交流电压值最低的一个导通。

② 每个时刻均需2个晶闸管同时导通，形成向负载供电的回路，其中1个晶闸管是共阴极组的，1个是共阳极组的，且不能为同1相的晶闸管。③ 对触发脉冲的要求：6个晶闸管的脉冲按VT1—VT2—VT3—VT4—VT5—VT6的顺序，相位依次差。

④ 共阴极组VT1、VT3、VT5的脉冲依次差，共阳极组VT2、VT4、VT6的脉冲依次差。

⑤ 同一相的上下两个桥臂，即VT1与VT4，VT3与VT6，VT5与VT2，脉冲相差。

⑥ 整流输出电压一周期脉动6次，每次脉动的波形都一样，故该电路为6脉冲整流电路。

带电阻负载时的工作情况（）（1）基本说明

① 自然换向点仍为a、b、c相的交点。

② 时刻为a相触发角位置，将该时刻后的一个电源周期分成6段，每段电角度为

（2）波形图分析

（3）总结

① 与时相比，晶闸管起始导通时刻推迟了，组成的每一段线电压因此推迟，平均值降低。

② VT1处于通态的期间，变压器二次侧a相电流，波形与同时段的波形相同。VT4处于通态的期间，波形与同时段的波形相同，但为负值。带电阻负载时的工作情况（）（1）波形图分析

（2）总结

① 与时相比，晶闸管起始导通时刻继续向后推迟，平均值继续降低，并出现了为零的点。

② 当时，波形均连续，对于电阻负载，波形与波形的形状一样，保持连续。

带电阻负载时的工作情况（）（1）时整流电路触发脉冲要求

① 时，负载电流将出现断续状态，这样为确保电路的正常工作，需保证同时导通的2个晶闸管均有触发脉冲。

② 方法一：采用宽脉冲触发，即触发脉冲的宽度大于，一般取~。

③ 方法二：采用双脉冲触发，即在触发某个晶闸管的同时，给序号紧前的一个晶闸管补发脉冲。即用两个窄脉冲代替宽脉冲，两个窄脉冲的前沿相差，脉宽一般为~。（2）波形图分析

（3）总结

① 当时，负载电流将出现断续状态。

② 当时，整流输出电压波形全为零，因此带电阻负载时的三相桥式全控整流电路角的移相范围是。

三相桥式全控整流电路的定量分析（1）带电阻负载时的平均值

① 特点：时，整流输出电压连续；时，整流输出电压断续。

② 整流电压平均值计算公式：以所处的线电压波形为背景，周期为。③ 输出电流平均值计算公式：。

与带电阻负载时相类比的阻感负载的工作情况，类比于电阻负载，自己总结

整流电路的有源逆变工作状态

什么是逆变？为什么要逆变？

（1）逆变定义：生产实践中，存在着与整流过程相反的要求，即要求把直流电转变成交流电，这种对应于整流的逆向过程，定义为逆变。（3）逆变电路定义：把直流电逆变成交流电的电路。

（4）有源逆变电路：将交流侧和电网连结时的逆变电路，实质是整流电路形式。

（5）无源逆变电路：将交流侧不与电网连结，而直接接到负载的电路，即把直流电逆变为某一频率或可调频率的交流电供给负载的电路。（6）有源逆变电路的工作状态：只要满足一定条件，可控整流电路即可以工作于整流状态，也可以工作于逆变状态。逆变产生的条件怎样防止逆变失败