屏蔽栅功率器件及其制造方法[发明专利]

来源：花图问答

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：屏蔽栅功率器件及其制造方法专利类型：发明专利

发明人：肖胜安,李东升,曾大杰申请号：CN201610284903.6申请日：20160429公开号：CN105957892A公开日：20160921

摘要：本发明公开了一种屏蔽栅功率器件，导通区原胞的栅极结构包括：形成于沟槽中的屏蔽电极和沟槽栅电极，屏蔽电极和沟槽的底部表面和侧面之间的屏蔽介质膜的厚度在从沟槽的顶部到底部纵向上逐渐增加；在沿沟槽的宽度方向的剖面上，屏蔽电极的顶部呈上凸的弧形，在弧形底部呈顶角在底部的三角形结构或者呈下窄上宽的梯形结构；在器件反向偏置时，屏蔽电极对漂移区进行横向耗尽，从沟槽的顶部到底部方向上，屏蔽介质膜的厚度呈逐渐增加的结构使漂移区的电场强度分布的均匀性增加。本发明还公开了一种屏蔽栅功率器件的制造方法。本发明能提高器件的击穿电压，降低器件的比导通电阻，改善器件的性能，能提高器件的可靠性。

申请人：深圳尚阳通科技有限公司

地址：518057 广东省深圳市南山区高新区中区科丰路2号特发信息港B栋601-602单元

国籍：CN

代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：郭四华

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