专利名称：一种生长AlInN单晶外延膜的方法专利类型：发明专利
发明人：卢国军,朱建军,赵德刚,刘宗顺,张书明,杨辉申请号：CN200810225783.8申请日：20081112公开号：CN101736398A公开日：20100616
摘要：本发明公开了一种用氮气、氢气混合气作为载气生长高质量AlInN单晶外延膜的方法，包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温至生长温度，同时通入三甲基铟TMIn、三甲基铝TMAl、氨气NH，氮气N和适量氢气H，生长出AlInN单晶外延膜。利用本发明，可以提高AlInN的结晶质量，并改善其表面形貌，提高其表面的平整度。
申请人：中国科学院半导体研究所
地址：100083 北京市海淀区清华东路甲35号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：周国城
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