一种生物芯片中硅纳米线阵列的制造方法[发明专利]

来源：花图问答

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种生物芯片中硅纳米线阵列的制造方法专利类型：发明专利发明人：朱建军

申请号：CN201210353110.7申请日：20120920公开号：CN102890150A公开日：20130123

摘要：本发明揭示了一种生物芯片中硅纳米线阵列的制造方法，其包括如下步骤：在半导体衬底上通过湿氧氧化的方法生长二氧化硅层；在二氧化硅层上生长多晶硅层；在多晶硅层上低温生长低温氧化层；对多晶硅层及低温氧化层进行光刻及刻蚀形成硅纳米线阵列图形，其中，硅纳米线阵列图形由硅纳米线组成；在硅纳米线上再生长一层氮化硅层；对氮化硅层进行整片刻蚀以在硅纳米线两侧形成氮化硅侧壁；通过湿法刻蚀方法去除低温氧化层；通过湿法刻蚀方法去除氮化硅侧壁。因此，本发明可以在制作所有尺寸大小的硅纳米线，均不用考虑硅纳米线的底部在去除LTO层时由于被侵蚀而产生容易倒塌的情况。

申请人：上海集成电路研发中心有限公司

地址：201210 上海市浦东新区张江高科高斯路497号

国籍：CN

代理机构：上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

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