少子寿命测试

来源：花图问答

半导体少子寿命测量

实验内容与目的

1. 采用高频光电导衰退法测量单晶硅片的少子寿命。并观察光源经滤光片滤光后测试曲线的变化。

2. 加深学生对半导体非平衡载流子理论的理解；学会使用高频光电导测试仪和示波器来测量半导体少子寿命。

实验仪器与原理

1．采用自制的HM-HLT型高频光电导少子寿命测试仪和示波器进行测试。

ptp0e2．对硅片上施加光注入，光照停止后，非平衡载流子衰减：是非平衡载流子浓度减少到初始值的1/e倍所经过的时间。

t,寿命

实验步骤

1．将测试仪与示波器连接，待测Si片放入样品仓，打开示波器电源，示波器的“输入”旋钮放在交流，“扫描方式”旋钮放在自动，调节“位移”旋钮，使光标成为一条直线，

与显示屏上的标准曲线的横轴相重合。

2．打开少子寿命仪电源，调节“频率调节”、“光强调节”旋钮，频率约在1-2HZ，光强旋钮约为230V。在测量时，如果图形曲线发生截波失真现象则应将光强幅度减小。

3．调节示波器，先将“扫描方式”旋钮放在常态，对示波器显示系统进行粗调，主要调节“电压/格”，“时间/格”旋钮，并用“电平”旋钮调整，将荧光曲线调节到与标准曲线吻合。

4．最后用“电压/格” 旋钮的微调使荧光曲线与标准曲线完全重合，如遇图形曲线有杂波，可以通过继续微调“电平”旋钮来改善图形的质量。记录示波器的“电压/格”，“时间/格”值。

5．观查在硅片上叠放滤光片与不叠放滤光片时，示波器显示曲线的变化。

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