一种源漏重掺杂方法、半导体器件及其制造方法[发明专利]

来源：花图问答

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种源漏重掺杂方法、半导体器件及其制造方法专利类型：发明专利发明人：俞柳江

申请号：CN201210081389.8申请日：20120323公开号：CN102610505A公开日：20120725

摘要：本发明公开了一种源漏重掺杂方法，所述源漏重掺杂方法的离子注入方向向源极方向倾斜并与垂直于衬底方向成一夹角，由于离子的注入方向不再垂直于衬底表面，所以源极重掺杂区和漏极重掺杂区为非对称结构，漏极重掺杂区与沟道间的距离被拉远，与栅极结构之间的交叠区域面积减小，从而减小了漏极与栅极之间的寄生交叠电容，进而减小了共源极放大器的密勒电容，提高了共源极放大器的频率响应特性。

申请人：上海华力微电子有限公司

地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

国籍：CN

代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：陆花

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