一种具有二维光子晶体的发光二极管[发明专利]

来源：花图问答

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种具有二维光子晶体的发光二极管专利类型：发明专利

发明人：李垚,詹耀辉,赵九蓬,丁艳波,葛邓腾申请号：CN201010152183.0申请日：20100421公开号：CN101814562A公开日：20100825

摘要：一种具有二维光子晶体的发光二极管，它涉及具有光子晶体的发光二极管。本发明解决现有发光二极管出光效率低，及利用传统刻蚀、光刻或者压印技术对半导体有源层具有损伤，导致非辐射复合增加的问题。本发明发光二极管，包括衬底、缓冲层、N型掺杂半导体层、有源层、P型掺杂半导体层、电流扩散层、P型电极和N型电极，其中在N型掺杂半导体层与空气的界面上，以及P型掺杂半导体层与空气的界面上覆盖二维光子晶体层，二维光子晶体层为单层微球有序排列结构，微球粒径50nm～5μm。二维光子晶体层改善半导体层与外界的折射律差值，利用弱光子晶体效应，提高了出光率，较传统发光二极管提高了10%~20%。适宜于大面积和工业化生产。

申请人：哈尔滨工业大学

地址：150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

国籍：CN

代理机构：哈尔滨市松花江专利商标事务所

代理人：韩末洙

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