DM3100场效应(MOS管)原厂DCY品牌推荐

DM3100SOT-23場效應晶體管(SOT-23FieldEffectTransistors)N-ChannelEnhancement-ModeMOSFETsN沟道增强型MOS场效应管

■MAXIMUM

RATINGS最大額定值

Symbol符號BVDSSVGSIDIDMPDTJT/tTstg

Max最大值30+208201400150260/10-55to+150

Unit單位VVAAmW℃℃/S℃

Characteristic特性參數

Drain-SourceVoltage漏極-源極電壓Gate-SourceVoltage栅極-源極電壓

DrainCurrent(continuous)漏極電流-連續DrainCurrent(pulsed)漏極電流-脉冲

TotalDeviceDissipation總耗散功率

TA=25℃環境溫度爲25℃Junction結溫

SolderTemperature/SolderTime焊接溫度/焊接時間

StorageTemperature儲存溫度

■DEVICEMARKING打標

DM3100=3100

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DM3100■ELECTRICALCHARACTERISTICS

電特性

Symbol符號BVDSSVGS(th)VSDIDSSIGSSRDS(ON)Min最小值301————

Typ典型值—————12

Max最大值—21.51+10014

Unit單位VVV

uA

(TA=25℃unlessotherwisenoted如無特殊說明，溫度爲25℃)Characteristic特性參數

Drain-SourceBreakdownVoltage

漏極-源極擊穿電壓(ID=250uA,VGS=0V)GateThresholdVoltage

栅極開启電壓(ID=250uA,VGS=VDS)DiodeForwardVoltageDrop

内附二極管正向壓降(IS=1A,VGS=0V)ZeroGateVoltageDrainCurrent

零栅壓漏極電流(VGS=0V,VDS=24V)GateBodyLeakage

栅極漏電流(VGS=+20V,VDS=0V)StaticDrain-SourceOn-StateResistance静态漏源導通電阻(ID=5A,VGS=10V)StaticDrain-SourceOn-StateResistance静态漏源導通電阻(ID=3.5A,VGS=4.5V)InputCapacitance輸入電容(VGS=0V,VDS=10V,f=1MHz)OutputCapacitance輸出電容(VGS=0V,VDS=10V,f=1MHz)Turn-ONTime开启時間

(VDS=10V,ID=3A,RGEN=6Ω)Turn-OFFTime关断時間

(VDS=10V,ID=3A,RGEN=6Ω)PulseWidth<300μs;DutyCycle<2.0%nA

mΩRDS(ON)CISSCOSSt(on)t(off)

—1416

mΩ———

6001208

———

pFpFns

—60—ns

DM3100■DIMENSION

外形封裝尺寸

單位(UNIT)：mm

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