存储器结构及其制作方法[发明专利]

来源：花图问答

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：存储器结构及其制作方法专利类型：发明专利

发明人：施凯侥,冯祺凯,王思婷,尹德源申请号：CN201710407714.8申请日：20170602公开号：CN1062900A公开日：20181207

摘要：本发明公开一种存储器结构及其制作方法，该存储器包含半导体基底、至少二个浅沟槽隔离、主动区、第一介电层、浮置栅极、第二介电层以及控制栅极。浅沟槽隔离相邻设置于半导体基底中。主动区设置于半导体基底中且位于该等浅沟槽隔离之间。第一介电层设置于主动区表面。浮置栅极设置于半导体基底上且具有阶梯状侧壁，并包含上层部和下层部，其中上层部宽度小于下层部宽度，下层部横跨主动区且延伸至浅沟槽隔离上并部分覆盖浅沟槽隔离。第二介电层覆盖浮置栅极。控制栅极设置于第二介电层上。

申请人：力晶科技股份有限公司

地址：中国新竹科学工业园区

国籍：TW

代理机构：北京市柳沈律师事务所

代理人：陈小雯

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