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一种扩散硅高静压微差压传感器

来源：花图问答

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201610580047.9 （22）申请日 2016.07.22

（71）申请人上海域丰传感仪器有限公司

地址 200000 上海市松江区石湖荡镇闵塔路1500弄29号

（10）申请公布号 CN107643145A

（43）申请公布日 2018.01.30

（72）发明人余德丰

（74）专利代理机构上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人赵朋晓

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

一种扩散硅高静压微差压传感器

（57）摘要

本发明一种扩散硅高静压微差压传感器，

其中，包括：正盒固定座以及设于正盒固定座下侧的负盒固定座，正盒固定座内嵌设有盘型填充主体，盘型填充主体与负盒固定座之间设有空腔，空腔内的两端分别设有静压座、差压座，静压座与差压座内均设有导线柱；负盒固定座内设有反应区，导线通孔位于高压区正上方，差压座位于低压区上方，负盒固定座的上侧设有静压座；静压座背离于差压座的一侧根部设有静压芯

片，差压座背离于静压芯片的一侧根部设有差压芯片，静压芯片大于两个，差压芯片大于两个。通过使用本发明一种扩散硅高静压微差压传感器，有效地实现外置电路对传感器进行校准，同时对传感器的温度系数、灵敏度系数进行补偿。

法律状态

法律状态公告日

2018-01-30 2018-01-30 2019-02-22

法律状态信息

公开公开

实质审查的生效

法律状态

公开公开

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权利要求说明书

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说明书

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