一种薄膜晶体管及其制备方法[发明专利]

来源：花图问答

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种薄膜晶体管及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：宁洪龙,胡诗犇,姚日晖,彭俊彪,王磊,徐苗,邹建华,陶

洪,兰林锋,黄福祥

申请号：CN201510932234.4申请日：20151214公开号：CN1005768A公开日：20160316

摘要：本发明公开一种薄膜晶体管及其制备方法，属于薄膜晶体管技术领域。该制备方法包括如下步骤，在衬底上依次制备栅极、栅极绝缘层和有源层，然后进行前退火处理，再直流磁控溅射铜铬合金电极作为源漏电极，最后进行后退火处理，得到成品薄膜晶体管；所述前退火处理是在空气气氛中进行前退火，前退火温度为100～500℃，前退火时间为1～120min；以重量百分比计，所述铜铬合金电极中铬元素的含量范围为0.4％～10％；所述后退火处理是在氩气气氛中进行后退火，后退火温度为100～500℃，后退火时间为1～120min。本发明能够克服铜氧化、抑制铜扩散、避免电极脱落及易刻蚀的特点，其所构成的薄膜晶体管具有性能良好的特点。

申请人：华南理工大学

地址：5100 广东省广州市天河区五山路381号

国籍：CN

代理机构：广州市华学知识产权代理有限公司

代理人：罗观祥

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