集成电路以及用于制造集成电路的方法[发明专利]

来源：花图问答

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：集成电路以及用于制造集成电路的方法专利类型：发明专利

发明人：福尔克尔·杜德克,米夏埃多·格拉夫,安德烈·海德,斯

特凡·施万特斯

申请号：CN200610088706.3申请日：20060531公开号：CN1881589A公开日：20061220

摘要：集成电路，具有带有至少一个NDMOS晶体管(40)以及至少一个PDMOS晶体管(20)的器件区域(240)，以及衬底(60，60’，600，600’)，它通过电介质(50，50’，500，550)与器件区域(240)隔离，其中，器件区域(240)、电介质(50，50’，500，550)和衬底

(60，60’，600，600’)在PDMOS晶体管(20)的第一区域(A，A’，200)中构成第一、归一化到面积单元(μm)上的衬底电容(C，C，C)以及在NDMOS晶体管(40)的第二区域(A，400)中构成第二、归一化到该面积单元(μm)上的衬底电容(C)，并且，其中，第一的、归一化到该面积单元(μm)上的衬底电容(C，C，C)相对于第二、归一化到该面积单元(μm)上的衬底电容(C)被减小。

申请人：ATMEL德国有限公司

地址：德国海尔布隆

国籍：DE

代理机构：永新专利商标代理有限公司

代理人：曾立

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